英諾賽科是一家致力于創(chuàng)建基于高性能、低成本、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）電源解決方案的全球能源生態(tài)系統(tǒng)的企業(yè)。該公司今天宣布，美國國際貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日發(fā)布的337調(diào)查終裁決定證實，英諾賽科的客戶將其產(chǎn)品進口到美國的合法性不受英諾賽科和宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之間正在進行的專利糾紛的影響。

去年5月，EPC在ITC對英諾賽科提起專利侵權訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’508號專利和US’294號專利。今年7月，ITC行政法官作出初步裁定，認定英諾賽科沒有侵犯EPC的US'508號專利的權利要求1（該專利中唯一被EPC用來主張權利的權利要求），而今天，ITC的最新終裁決定再次確認英諾賽科沒有侵犯該US’508號專利，這對英諾賽科來說是一個巨大的勝利。

然而，終裁決定維持了行政法官初步裁決中認定的侵犯了US'294號專利權利要求2和3的部分情形。因此，ITC將決定發(fā)布有限排除令，禁止英諾賽科將某些被指控的芯片作為直接產(chǎn)品出口到美國。英諾賽科不同意這一裁決，并將對此進一步提出上訴。這至少是因為US'294號專利本身的權利基礎是不穩(wěn)定的，被無效的可能性很大。事實上，美國專利商標局（“USPTO”）以四種不同的理由對US'294號專利的所有權利要求進行了雙方復審（“IPR”），并同意英諾賽科的無效論點。US'294號專利的IPR無效審查決定將于2025年3月發(fā)布。

英諾賽科還指出，根據(jù)美國法律規(guī)定，有限排除令并不禁止英諾賽科的客戶將使用被指控芯片的終端產(chǎn)品進口到美國市場。此外，由于終裁決定澄清了“補償GaN層”這一權利要求術語的含義，而這正是雙方圍繞US'294號專利爭議的核心，因此也為英諾賽科提供了明確的規(guī)避設計指導，通過避免使用“補償GaN層”這一技術特征，就可以實現(xiàn)對US'294號專利的規(guī)避。目前英諾賽科已經(jīng)完成了規(guī)避設計方案，并將很快發(fā)布規(guī)避設計后的新產(chǎn)品。

因此，EPC訴訟不會對英諾賽科的客戶帶來不利影響。此外，英諾賽科將繼續(xù)通過法院上訴程序和美國專利商標局的無效程序來推動解決與EPC的糾紛，并有信心取得最終的完全勝利。

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英諾賽科成立于 2015 年，目前已經(jīng)成為全球最大的 氮化鎵半導體器件IDM（全產(chǎn)業(yè)鏈模式）制造商，集成并簡化了包括設計、制造、封裝、電路應用和銷售在內(nèi)的所有流程，持續(xù)引領氮化鎵技術前沿。我們開發(fā)出的產(chǎn)品覆蓋從低壓30V到高壓700V的全電壓等級范圍。英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造能力，這能夠顯著降低我們的生產(chǎn)成本。