捷捷微電：目前有少量碳化硅器件的封測，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段

捷捷微電2月7日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)發(fā)明專利5件和實(shí)用新型專利5件，此外，公司還有9個(gè)發(fā)明專利和2個(gè)實(shí)用新型專利尚在申請受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。