文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
2024年全球半導(dǎo)體存儲行業(yè)回暖，根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)預(yù)測顯示，2024年半導(dǎo)體市場強(qiáng)勁增長19%，其中，存儲市場預(yù)計將在2024年增長81%。
DeepSeek的出現(xiàn)也引發(fā)的市場變化推動人工智能和半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)增長。AI市場從高價GPU和內(nèi)存向定制化AI芯片和廉價內(nèi)存的多元化發(fā)展，標(biāo)志著AI市場的擴(kuò)張。這一轉(zhuǎn)變有望使AI技術(shù)更加普及、更具成本效益，擴(kuò)大其應(yīng)用范圍和吸引力。
DeepSeek 沖擊導(dǎo)致的股價波動被視為三星電子和 SK 海力士等的買入機(jī)會。例如SK 海力士預(yù)計將從今年第二季度開始全面出貨 HBM3E 12 層，從而實現(xiàn)差異化表現(xiàn)。高帶寬內(nèi)存技術(shù)的這一進(jìn)步對于高性能計算和 AI 應(yīng)用至關(guān)重要。與此同時，三星電子已準(zhǔn)備好高效供應(yīng)定制的 AI 芯片和內(nèi)存，并已確保了滿足客戶需求所需的制造設(shè)施。
同時，由于 DeepSeek 提供的優(yōu)化技術(shù)，AI 模型開發(fā)成本將會降低。預(yù)計成本降低將形成良性循環(huán)，從而降低生成 AI API 價格、增加 AI 流量并促進(jìn) AI 基礎(chǔ)設(shè)施投資。樸尚鉉進(jìn)一步預(yù)測，美國可能會加速其基礎(chǔ)設(shè)施投資以應(yīng)對這些發(fā)展。也有業(yè)內(nèi)人士提出，受AI應(yīng)用激增的推動，存儲器市場的資本支出（capex）也發(fā)生顯著變化。
越來越多的資金流向DRAM領(lǐng)域，特別是HBM的生產(chǎn)。預(yù)計2025年，DRAM資本支出將同比增長近20%。然而，這一轉(zhuǎn)變也導(dǎo)致對NAND生產(chǎn)的投資減少，可能在市場上造成潛在的供應(yīng)瓶頸。盡管如此，NAND領(lǐng)域的盈利能力持續(xù)改善，有望在2026年重新點燃該領(lǐng)域的投資熱情。
01、多家存儲大廠發(fā)布預(yù)增公告
兆易創(chuàng)新2024年凈利潤預(yù)增576.43%：2024年，兆易創(chuàng)新預(yù)計實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤達(dá)10.9億元左右，同比增長576.43%;扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤約10.3億元，同比大增3659.04%;營業(yè)收入約73.49億元，同比增長27.57%。
公告中提到，業(yè)績增長的主要原因包括2024年行業(yè)下游市場需求回暖，客戶增加備貨，產(chǎn)品在多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)收入和銷量大幅增長。此外，公司持續(xù)加大研發(fā)投入和產(chǎn)品迭代，優(yōu)化產(chǎn)品成本，增強(qiáng)產(chǎn)品競爭力。同時，2023年公司商譽和存貨資產(chǎn)減值損失合計約6.1億元，預(yù)計2024年相關(guān)資產(chǎn)減值損失將大幅下降。
在利基型DRAM領(lǐng)域預(yù)計價格下行空間有限，預(yù)計供給格局改善可能出現(xiàn)在2025年Q2或下半年。Flash業(yè)務(wù)方面，公司NOR Flash產(chǎn)品全球份額第二，將繼續(xù)提升市占率，特別是在端側(cè)AI和工業(yè)、汽車市場。利基型DRAM的DDR4 8Gb產(chǎn)品已量產(chǎn)，LPDDR4預(yù)計2025年下半年貢獻(xiàn)收入。MCU業(yè)務(wù)方面，公司預(yù)計工業(yè)領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)一步增長，車規(guī)MCU新產(chǎn)品GD32A7客戶反饋良好。
瀾起科技披露2024年度業(yè)績預(yù)告，預(yù)計實現(xiàn)營業(yè)收入約36.39億元，較上年同期增長約59.20%；歸屬于母公司所有者的凈利潤13.78億-14.38億元，較上年同期增長205.62%-218.93%；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤12.24億-12.84億元，較上年同期增長230.82%-247.04%。
尤其是，2024年第四季度，公司預(yù)計營業(yè)收入實現(xiàn)同比及環(huán)比增長，主要原因是DDR5內(nèi)存接口芯片需求旺盛，出貨量增加。公司預(yù)計2024年第四季實現(xiàn)營業(yè)收入約10.68億元，其中互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入約9.72億元，DDR5第三子代RCD芯片開始規(guī)模出貨；歸屬于母公司所有者的凈利潤4.00億-4.60億元；歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤3.50億-4.10億元。
對于業(yè)績增長，瀾起科技披露，一方面，受益于全球服務(wù)器及計算機(jī)行業(yè)需求逐步回暖，公司內(nèi)存接口及模組配套芯片需求實現(xiàn)恢復(fù)性增長。同時，受益于DDR5下游滲透率提升且子代持續(xù)迭代，公司DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量超過DDR4內(nèi)存接口芯片，DDR5第二子代內(nèi)存接口芯片出貨量超過第一子代產(chǎn)品；另一方面，受益于AI產(chǎn)業(yè)推動，公司三款高性能運力芯片新產(chǎn)品（PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD芯片）開始規(guī)模出貨，為公司貢獻(xiàn)新的業(yè)績增長點。
02、存儲的春天在哪里？HBM快速迭代
隨著英偉達(dá)和AMD等主力GPU產(chǎn)品的迭代，以及搭載HBM規(guī)格變化，市場已逐步由HBM3向HBM3e升級。與此同時，更新一代HBM技術(shù)也愈發(fā)受到關(guān)注。
根據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體收入預(yù)計將在2025年增長12.6%，達(dá)到7050億美元。
目前，全球HBM市場由SK海力士、三星、美光三家主導(dǎo)。分廠商來看，三星電子是2024年排名第一的半導(dǎo)體供應(yīng)商，年銷售額增長62.5%，超過排名第二的英特爾。由于對AI加速芯片的需求，英偉達(dá)的芯片銷售額幾乎翻了一番，躍居第三位。
存儲制造商SK海力士和美光的銷售額也出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。就美光而言，三星和SK海力士的銷售額增長主要得益于存儲的高平均售價，尤其是數(shù)據(jù)中心AI加速所需的高帶寬存儲器（HBM）。Gartner表示，2024年數(shù)據(jù)中心應(yīng)用芯片的銷售額幾乎翻了一番，達(dá)到1120億美元。
2024年非存儲收入將增長6.9%，而存儲收入將增長71.8%。因此，到2024年，存儲在半導(dǎo)體總銷售額中的份額將增至整個市場的25.2%，非存儲占74.8%。分析師George Brocklehurst指出：“存儲和AI半導(dǎo)體將推動近期增長，HBM預(yù)計將占據(jù)DRAM收入的越來越大份額，到2025年將達(dá)到19.2%。HBM收入預(yù)計在2025年將增長66.3%，達(dá)到198億美元?！?/p>
GLC SSD大風(fēng)吹
AI熱潮產(chǎn)生了大量的數(shù)據(jù)存儲和計算需求，使HBM和企業(yè)級SSD均受益。相比SLC、MLC、TLC技術(shù)，QLC 閃存有幾個主要優(yōu)勢：
- 容量：QLC相比主流TLC閃存，存儲密度提升33%。
- 成本：從晶圓上切割出的閃存芯片數(shù)量相同，QLC 可提供比 TLC 多約 33% 的存儲容量，從而降低單位存儲成本。
- 總擁有成本 (TCO)：與傳統(tǒng) HDD 相比，基于 QLC 的 SSD 具有更低的 TCO。TCO 包括存儲密度、可靠性和功耗等考慮因素。雖然 QLC 的寫入性能略遜于其他技術(shù)，但其讀取性能卻非常強(qiáng)勁。
許多人認(rèn)為 QLC SSD 是 TLC SSD 的補充，特別適合讀取密集型和混合讀/寫工作負(fù)載，例如人工智能、內(nèi)容交付網(wǎng)絡(luò)和機(jī)器學(xué)習(xí)中的工作負(fù)載。
在AI應(yīng)用方面，TrendForce指出，SSD應(yīng)用于AI推理服務(wù)器，有助于在推理過程中調(diào)整和優(yōu)化AI模型，尤其是通過實時更新數(shù)據(jù)來微調(diào)模型輸出。AI推理主要支持檢索增強(qiáng)生成（RAG）和大型語言模型（LLM），SSD可以存儲參考文檔和知識庫，以便RAG和LLM生成更豐富的響應(yīng)。
隨著越來越多的生成信息以視頻或圖像的形式顯示出來，數(shù)據(jù)存儲需求也隨之增加，使得大容量 SSD（例如 16TB+ TLC/QLC 型號）對于 AI 推理至關(guān)重要。
Solidigm 已開發(fā)并交付了 D5-P5336 61.44TB QLC SSD 等產(chǎn)品，其耐用性遠(yuǎn)超傳統(tǒng) HDD。
SK海力士2024年12月18日宣布，開發(fā)出了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的大容量SSDPS1012。計劃到 2025 年第三季度將其產(chǎn)品線擴(kuò)大到 122TB。PS1012 采用最新的第五代 PCIe，帶寬是第四代產(chǎn)品的兩倍。這使得數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá) 32GT/s，連續(xù)讀取性能達(dá)到 13GB/s，是上一代產(chǎn)品的兩倍。
三星已開始量產(chǎn) 1Tb QLC 第九代 V-NAND 內(nèi)存，提供全系列先進(jìn) SSD 解決方案，滿足 AI 時代的需求。三星還計劃通過第九代 QLC 和 TLC V-NAND 技術(shù)鞏固其在企業(yè)級 SSD 市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
鎧俠第八代BiCS FLASH 2Tb QLC已進(jìn)入出樣階段，全新QLC產(chǎn)品架構(gòu)允許在單個內(nèi)存封裝內(nèi)堆疊16顆芯片，提供領(lǐng)先的4TB容量。
在國內(nèi)，大普存儲是國內(nèi)首家推出QLC企業(yè)級SSD的公司，先是J5000系列（15.36TB容量），后來又推出了J5060 QLC SSD系列，最高容量可達(dá)61.44TB。
沒有開春的它們
近一年來，通用 NAND 價格從上漲到持平再到下跌，經(jīng)歷大起大落。TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，通用 NAND 價格從 2023 年 10 月開始經(jīng)歷 5 個月的上漲后，于 2024 年 3 月增速減緩，維持平穩(wěn)狀態(tài)；而后從 9 月開始轉(zhuǎn)為下跌，9 月、10 月和 11 月的環(huán)比降幅分別為 11.44%、29.18% 和 29.8%。目前，通用 NAND 價格已從 8 月的 4.9 元降至11月的 2.16 元，跌幅超過 50%，是繼 2015 年 8 月以來的最低價格。
TrendForce預(yù)測，2024 年第四季 NAND 合約價格將下降 3-8%，獲利能力進(jìn)一步減弱，此前便有業(yè)內(nèi)人士分析 2025 年或許會有部分產(chǎn)品線從 NAND 轉(zhuǎn)向 DRAM。
至于NAND價格持續(xù)下跌的原因，要知道產(chǎn)品價格波動，主要受市場供需影響。所以，要弄清楚 NAND 芯片價格為何持續(xù)下滑，需先了解其具體應(yīng)用場景。
難兄難弟還有DRAM。春節(jié)假期后，消費者對 DRAM 的需求依然低迷，現(xiàn)貨價格持續(xù)低位徘徊。不過，由于部分買家的特殊需求，DDR5 產(chǎn)品出現(xiàn)了臨時價格上漲。相比之下，DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價格因 CXMT 供應(yīng)充足而繼續(xù)下滑，本周主流芯片（如 DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價格維持在 1.458 美元。
不只是在春節(jié)期間，自去年8月起，DRAM價格進(jìn)入下跌趨勢，直至今年1月才出現(xiàn)回暖跡象。繼去年9月和11月分別暴跌17%和20%之后，DRAM價格一直處于區(qū)間波動狀態(tài)，預(yù)計今年第一季度的表現(xiàn)將更加糟糕。因此，預(yù)測顯示三星電子第一季度的表現(xiàn)將比預(yù)期的更差。
即使進(jìn)入1月，受農(nóng)歷新年以及客戶去庫存的影響，貿(mào)易市場依然低迷。DRAM供應(yīng)商的庫存水平再次上升，達(dá)到去年第四季度13至18周的水平。
分析表明，DRAM需求預(yù)計短期內(nèi)不會恢復(fù)。