ChatGPT將暫時(shí)對(duì)文生圖功能增加速率限制；消息稱(chēng)Manus正接洽新一輪融資；李自學(xué)因年齡原因卸任中興通訊董事長(zhǎng)。

存儲(chǔ)行業(yè)從“美日韓三足鼎立”的格局轉(zhuǎn)向“韓系主導(dǎo)”。

SK海力士CEO郭魯正3月27日在股東大會(huì)上表示，公司2025年HBM產(chǎn)能已售罄，將在上半年與客戶(hù)完成關(guān)于2026年HBM產(chǎn)能的談判。郭魯正預(yù)計(jì)，與2023年相比，今年HBM市場(chǎng)將增長(zhǎng)9倍，企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)（eSSD）市場(chǎng)將增長(zhǎng)3.5倍。SK海力士預(yù)計(jì)HBM產(chǎn)品在其存儲(chǔ)芯片總銷(xiāo)售額中的占比將從2024年的40%升至今年的50%以上。

3月27日，韓國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士稱(chēng)，一些客戶(hù)已經(jīng)提前下單，為迎接美國(guó)新關(guān)稅做準(zhǔn)備。

3月19日，韓國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品12層HBM4，并在全球首次向主要客戶(hù)提供其樣品。SK海力士表示，公司將在下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備。該產(chǎn)品將在英偉達(dá)主辦的全球人工智能大會(huì)GTC 2025上展出。

據(jù)報(bào)道，繼閃迪此前通知4月1日將上調(diào)NAND閃存報(bào)價(jià)后，由于三星電子、SK海力士進(jìn)行減產(chǎn)，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導(dǎo)致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊，美光、三星電子、SK海力士等廠商均將從4月起提高NAND閃存報(bào)價(jià)。NAND價(jià)格回漲速度高于原先預(yù)期。

韓國(guó)三星電子和SK海力士去年依托中國(guó)《推動(dòng)大規(guī)模設(shè)備更新和消費(fèi)品以舊換新行動(dòng)方案》相關(guān)舉措，在華銷(xiāo)售額實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。三星電子3月12日公布的業(yè)務(wù)報(bào)告顯示，公司去年對(duì)華出口額同比增加53.9%，為64.9275萬(wàn)億韓元（約合人民幣3241億元），超過(guò)對(duì)美出口額（61.3533萬(wàn)億韓元）。另?yè)?jù)三星電子審計(jì)報(bào)告數(shù)據(jù)，公司在中國(guó)西安的閃存芯片（NAND）工廠（銷(xiāo)售額11.1802萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1.1954萬(wàn)億韓元）和上海的半導(dǎo)體銷(xiāo)售分公司（銷(xiāo)售額30.0684萬(wàn)億韓元）去年銷(xiāo)售額也大幅提升。SK海力士方面，無(wú)錫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）工廠去年轉(zhuǎn)虧為盈，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)（5985億韓元）可觀；無(wú)錫半導(dǎo)體銷(xiāo)售分公司去年銷(xiāo)售額（13.0104萬(wàn)億韓元）和凈利潤(rùn)（1432億韓元）分別同比大增64.3%。

韓國(guó)綜合指數(shù)跌幅擴(kuò)大至2%，SK海力士跌近4%，三星電子跌超1%。

SK海力士2月25日發(fā)布消息稱(chēng)，韓國(guó)京畿道龍仁半導(dǎo)體集群內(nèi)的SK海力士一期晶圓廠于昨日正式破土動(dòng)工。SK海力士去年7月通過(guò)董事會(huì)決議，決定投資約9.4萬(wàn)億韓元（約合66億美元）建設(shè)龍仁半導(dǎo)體集群一期晶圓廠及相關(guān)辦公設(shè)施。SK海力士計(jì)劃在龍仁集群內(nèi)分階段建設(shè)四座晶圓廠，一期工廠預(yù)計(jì)2027年5月竣工。

亞太主要股指收盤(pán)多數(shù)下跌，韓國(guó)綜合指數(shù)跌0.35%報(bào)2645.27點(diǎn)，權(quán)重股方面，SK海力士跌2.15%，三星電子跌1.55%，HMM漲7.12%。澳洲標(biāo)普200指數(shù)漲0.14%報(bào)8308.2點(diǎn)。新西蘭標(biāo)普50指數(shù)跌1.73%報(bào)12531.72點(diǎn)。日本股市因假期休市。

截至11:30，亞太主要股指多數(shù)下跌，韓國(guó)綜合指數(shù)跌0.58%報(bào)2639.1點(diǎn)，權(quán)重股方面，SK海力士跌3.1%，三星電子跌1.55%。澳洲標(biāo)普200指數(shù)漲0.03%報(bào)8298.4點(diǎn)。新西蘭標(biāo)普50指數(shù)跌1.48%報(bào)12563.36點(diǎn)。日本股市今日因假期休市。

韓國(guó)綜合指數(shù)跌幅擴(kuò)大至1%，SK海力士跌超4%。

韓國(guó)綜合指數(shù)開(kāi)盤(pán)跌0.7%，SK海力士跌超3%，三星電子跌超1%。日本股市因節(jié)假日休市。

亞太主要股指收盤(pán)全線(xiàn)下跌，韓國(guó)綜合指數(shù)跌0.65%報(bào)2654.06點(diǎn)，SK海力士跌2.97%，新韓金融集團(tuán)跌2.37%。日經(jīng)225指數(shù)跌1.24%報(bào)38678.04點(diǎn)，成分股多數(shù)下跌，東京電子跌3.13%，RECRUIT跌2.52%，任天堂跌2.3%。澳洲標(biāo)普200指數(shù)跌1.15%報(bào)8322.8點(diǎn)。新西蘭標(biāo)普50指數(shù)跌1.17%報(bào)12880.36點(diǎn)。

韓國(guó)綜合指數(shù)漲幅擴(kuò)大至2%，創(chuàng)去年9月以來(lái)新高，LG新能源漲超5%，SK海力士漲超4%。

2月18日，TechInsights最新報(bào)告指出，2025年第一季度，市場(chǎng)上將首次推出D1c的一小部分產(chǎn)品，首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據(jù)主導(dǎo)地位，包括HBM4 DRAM應(yīng)用。未來(lái)AI和數(shù)據(jù)中心將需要更高的單個(gè)裸晶的內(nèi)存容量，例如32Gb、48Gb或64Gb芯片，但目前市場(chǎng)上主流仍是16Gb裸晶。D1a和D1b是市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。到2027年底，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)DRAM將邁入個(gè)位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，如D0a，隨后將是0b和0c世代。

韓國(guó)綜合指數(shù)漲超1%，SK海力士漲近3%，LG新能源漲超3%。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月31日，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，韓國(guó)綜合股價(jià)指數(shù)31日收于2517.37點(diǎn)，較前交易日下跌19.43點(diǎn)。其中，美國(guó)芯片巨頭英偉達(dá)公司的供應(yīng)商SK海力士股價(jià)暴跌9.86%，創(chuàng)下自去年8月以來(lái)的最大跌幅。此外，三星電子股價(jià)下跌2.42%，韓美半導(dǎo)體股價(jià)下跌6.14%，LS電氣股價(jià)下跌5.33%，HD現(xiàn)代電氣股價(jià)下跌7.87%。

SK海力士1月23日在財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)上表示，預(yù)計(jì)16層HBM4將于明年下半年出貨，正與臺(tái)積電合作。SK海力士當(dāng)日早些時(shí)候發(fā)布截至2024年12月31日的2024財(cái)年及第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告。SK海力士在財(cái)報(bào)中表示，公司計(jì)劃今年增加HBM3E供應(yīng)量，并適時(shí)開(kāi)發(fā)出HBM4，根據(jù)客戶(hù)的要求進(jìn)行供應(yīng)。