文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
廣義的Foundry 2.0市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2025年達(dá)到2980億美元的市場(chǎng)規(guī)模，同比增長(zhǎng)11%。
根據(jù)IDC全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈跟蹤情報(bào)最新報(bào)告，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)繼 2024 年復(fù)蘇之后，預(yù)計(jì) 2025 年將實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)。廣義的 Foundry 2.0 市場(chǎng)（涵蓋晶圓代工、非存儲(chǔ)器 IDM、OSAT 和光掩模制造）預(yù)計(jì)將在 2025 年達(dá)到 2980 億美元的市場(chǎng)規(guī)模，同比增長(zhǎng) 11%，標(biāo)志著從 2024 年的復(fù)蘇階段過(guò)渡到 2025 年的增長(zhǎng)階段。從長(zhǎng)期來(lái)看，預(yù)計(jì) 2024 年至 2029 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率 (CAGR) 將達(dá)到 10%。這一增長(zhǎng)受到 AI 需求持續(xù)增長(zhǎng)和非 AI 需求逐步復(fù)蘇的催化。
晶圓代工仍是半導(dǎo)體制造的核心驅(qū)動(dòng)力，行業(yè)領(lǐng)頭羊臺(tái)積電憑借5nm以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝CoWoS的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，獲得了AI加速器制造的大量訂單，產(chǎn)能利用率持續(xù)處于滿負(fù)荷狀態(tài)，預(yù)計(jì)2025年臺(tái)積電在Foundry 2.0市場(chǎng)的份額將擴(kuò)大到37%。
雖然其他代工廠面臨成熟節(jié)點(diǎn)價(jià)格下滑的壓力，但消費(fèi)電子產(chǎn)品（如智能手機(jī)、個(gè)人電腦、筆記本電腦、電視和可穿戴設(shè)備）需求的反彈推動(dòng)了成熟節(jié)點(diǎn)利用率預(yù)計(jì)平均增長(zhǎng) 4%。這一復(fù)蘇推動(dòng)了整個(gè)代工市場(chǎng)的大幅擴(kuò)張，預(yù)計(jì)到 2025 年將增長(zhǎng) 18%。
非內(nèi)存IDM面臨挑戰(zhàn)
非內(nèi)存IDM（Integrated Device Manufacturer，集成設(shè)備制造商）領(lǐng)域則受限于AI加速器部署不足，2025年擴(kuò)張空間有限。英特爾積極推廣制程技術(shù)，尤其是18A制程以及Intel 3/Intel 4制程，預(yù)期將在Foundry 2.0市場(chǎng)維持約6%的市占率。
與此同時(shí)，專注于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的 IDM（如英飛凌、德州儀器、意法半導(dǎo)體和恩智浦）已完成庫(kù)存調(diào)整。不過(guò)，預(yù)計(jì) 2025 年上半年市場(chǎng)需求仍將疲軟，下半年將趨于穩(wěn)定。這些因素共同限制了 2025 年整體非內(nèi)存 IDM 行業(yè)僅實(shí)現(xiàn) 2% 的溫和增長(zhǎng)。
OSAT 歡迎人工智能驅(qū)動(dòng)的增長(zhǎng)
由于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)需求，IDM 增加對(duì)代工廠的外包，將封裝和測(cè)試需求轉(zhuǎn)移到 OSAT 供應(yīng)商，這讓外包半導(dǎo)體封裝和測(cè)試 (OSAT) 行業(yè)受益匪淺。盡管傳統(tǒng)封裝和測(cè)試業(yè)務(wù)依然不溫不火，但對(duì) AI 加速器的強(qiáng)勁需求刺激了先進(jìn)封裝訂單的增加。SPIL（ASE 旗下）、Amkor 和 KYEC 等供應(yīng)商正在積極承接更多與 CoWoS 相關(guān)的訂單，共同推動(dòng)整個(gè) OSAT 行業(yè)在 2025 年實(shí)現(xiàn) 8% 的預(yù)期增長(zhǎng)。
IDC亞太區(qū)高級(jí)研究經(jīng)理曾志偉表示：“半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈正在進(jìn)入新一輪擴(kuò)張浪潮，人工智能持續(xù)拉動(dòng)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝需求，傳統(tǒng)應(yīng)用市場(chǎng)逐步復(fù)蘇，為行業(yè)帶來(lái)多元化發(fā)展機(jī)遇。然而，行業(yè)必須應(yīng)對(duì)多種變量，包括地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、國(guó)家政策（如中國(guó)消費(fèi)刺激措施、美國(guó)建廠補(bǔ)貼和潛在的美國(guó)芯片關(guān)稅）、新產(chǎn)能帶來(lái)的供需波動(dòng)以及人工智能應(yīng)用的商業(yè)化進(jìn)程。這些因素將塑造半導(dǎo)體行業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展軌跡?！?/p>
再看另一家研究機(jī)構(gòu)對(duì)于2025年半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)的推測(cè)。Counterpoint Research報(bào)告顯示，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將在2025年挑戰(zhàn)20%的營(yíng)收增長(zhǎng)，其中AI需求持續(xù)強(qiáng)勁，為臺(tái)積電等主要廠商帶來(lái)顯著助益。此外，消費(fèi)電子、網(wǎng)通設(shè)備與蜂窩式物聯(lián)網(wǎng)等非AI半導(dǎo)體應(yīng)用的需求回溫，也將支撐市場(chǎng)增長(zhǎng)，進(jìn)一步強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期潛力。2025年，3nm與5/4nm等先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率（UTR）預(yù)計(jì)將維持在高水準(zhǔn)，受惠于英偉達(dá)帶動(dòng)的AI需求，以及蘋(píng)果高通與聯(lián)發(fā)科的旗艦智能手機(jī)出貨。
相比之下，成熟制程（28/22nm及以上）的產(chǎn)能利用率復(fù)蘇較為遲緩，主要因消費(fèi)電子、網(wǎng)通、車用與工業(yè)市場(chǎng)需求疲弱。其中，8英寸晶圓產(chǎn)能利用率的復(fù)蘇速度可能落后于12英寸晶圓的產(chǎn)能利用率，因其在車用與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的比重較高。報(bào)告中預(yù)期，車用半導(dǎo)體的庫(kù)存調(diào)整將延續(xù)至2025年上半年，進(jìn)一步拖累市場(chǎng)復(fù)蘇。此外，全球IDM廠商受高庫(kù)存水位影響，可能縮減對(duì)成熟制程代工廠的委外訂單，加深對(duì)成熟制程產(chǎn)能利用率（UTR）的壓力。整體而言，2025年成熟制程代工廠的UTR復(fù)蘇幅度將低于臺(tái)積電。
至于對(duì)2025年展望，Counterpoint Research表示，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將維持穩(wěn)健增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2025至2028年間營(yíng)收年均增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)13%~15%。產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)將主要由3nm、2nm及以下的先進(jìn)制程推動(dòng)，并受到CoWoS與3D封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)加速采用的帶動(dòng)。隨著高性能計(jì)算（HPC）與AI應(yīng)用需求持續(xù)攀升，這些技術(shù)將成為未來(lái)3~5年內(nèi)的核心增長(zhǎng)動(dòng)能。臺(tái)積電憑借技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)將持續(xù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，并進(jìn)一步鞏固市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。